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高斯輪廓激光束照亮硅晶圓我們將以一個直徑為 5cm 的硅晶圓為例，如下圖所示，該晶圓的中心有兩種不同的材料，每種材料厚度為 100μm，半徑為 1cm。晶圓從頂部被一束高斯輪廓激光熱源照射，該熱源在時間上被快速脈沖化。這兩種材料在 700nm 的激光波長下都是半透明的，但在更長波長的紅外輻射下是不透明的。硅襯底是摻雜的并且在所有波長下都是高吸收性的。

由圖11b可知，熔覆層與基體熱影響區結合處存在一條以界面為核心的平面晶，組織以粗大且分布不均的樹枝晶和柱狀晶為主，晶體沿散熱方向由熔池底部向熔覆層頂部生長。由圖11c可知，樹枝晶和柱狀晶的數量和尺寸明顯減少，熔覆層產生更多細小的等軸晶粒，呈典型的迅速熔凝組織特征。

在這種制造工藝中，硅晶圓在幾秒鐘或更短的時間內被加熱到超過 1000°C 的溫度。這是通過使用高強度的激光器或燈作為熱源來實現的。然后，硅晶圓的溫度被慢慢降低，以防止因熱沖擊而可能發生的任何變形或破裂。從激活摻雜物到化學氣相沉積，快速熱處理的應用范圍廣泛，這在我們之前的文章中討論過。 快速熱退火(RTA)是快速熱處理的一個子步驟。

一般利用幾何方法測量輥壓后極片的厚度［81］，如激光三角測量、激光卡尺、X射線、β輻射等；對于電極孔隙率及孔徑分布多利用Hg孔隙度法［82］及上文所述的x-CT及OM技術進行觀測；而其他與電極孔隙度相關的參數，如曲折度可通過 EIS［83］和3D成像技術測量。